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先進量子計算芯片研產貫通能力提升項目環(huán)境影響報告表公示
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根據(jù)《環(huán)境影響評價公眾參與辦法》生態(tài)環(huán)境部令第4號要求，現(xiàn)將“先進量子計算芯片研產貫通能力提升項目”的有關信息向公眾公告如下：
一、建設項目概要
本項目擬投資12000萬元，利用租賃建筑面積約7700平方米，基于薄膜鈮酸鋰材料的光量子器件領域的技術能力，購置步進式光刻機、紫外光刻機、介質鍍膜機、電化學沉積系統(tǒng)、原子層沉積系統(tǒng)等微納加工與檢測表征相關設備，建設先進量子計算芯片綜合技術平臺，進一步提升先進量子計算芯片從研發(fā)到生產的技術能力。
二、建設單位的名稱及聯(lián)系方式
建設單位：南京南智先進光電集成技術研究院有限公司
聯(lián)系人：王總
電話：13918667257
三、環(huán)境影響報告書編制單位的名稱
評價單位：江蘇環(huán)保產業(yè)技術研究院股份公司
通訊地址：江蘇省南京市建鄴區(qū)江東中路211號
聯(lián)系人：張工
電話：025-85699125
四、信息公示內容及時間
將項目的環(huán)境影響報告表全本進行公示，公示期不少于5個工作日。
五、征求公眾意見主要事項
公眾參與的目的是收集工程影響范圍內的民眾對項目建設的觀點、要求和愿景，將公眾意見歸納后呈遞環(huán)保行政主管部門，供審批項目時參考。公眾參與的內容主要是請工程附近公眾從環(huán)保角度對本工程發(fā)表自己的意見和建議。
六、意見提交具體形式
關注本項目建設的公眾可通過電話的方式直接與聯(lián)系人聯(lián)系參與。
七、公示附件
附件: 先進量子計算芯片研產貫通能力提升項目環(huán)境影響報告表 提取碼: pd7w
